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81.
LaAlO3 (LAO) gate dielectric films were deposited on Si substrates by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. The interfacial structure and composition distribution were investigated by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), secondary-ion mass spectroscopy (SIMS), and Auger-electron spectroscopy (AES). HRTEM confirms that there exists an interfacial layer between LAO and Si in most samples. AES, SIMS, and XPS analyses indicate that the interfacial layer is compositionally graded La–Al silicate and the Al element is severely deficient close to the Si surface. Electrical properties of LAO films were evaluated. No evident difference in electrical properties between samples with and without native SiO2 layers was observed. The electrical properties are discussed in terms of LAO growth mechanisms, in relation to the interfacial structure. PACS 73.40.Qv; 81.15.Gh; 77.55.+f; 68.35.-p  相似文献   
82.
83.
84.
85.
Tensile impact experiments of EC8.0−24×7 glass fiber bundles at different low temperaturesT(14°C, −40°C and −10°C) and strain rates ɛ were carried out, and complete stress-strain curves were obtained. Within the range of the experiment temperatures and strain rates, it is found that the initial modulusE, the ultimate strength σmax and the unstable strain ɛ b of the glass fiber bundles all increase with ɛ at an identicalT. At an identical ɛ, with the decrease ofT, E and σmax increase; but ɛ b increases when 10°C>T>−40°C and decreases when −40°C>T>−100°C. The strain-rate- and temperature-dependent bimodal Weibull statistical constitutive theory was adopted for the statistical analysis of the experimental results, and the Weibull parameters of single fiber were obtained. The results show that the bimodal Weibull distribution function is suitable to represent the strength distribution of the glass fiber at low temperature and different strain rates. The differences in the mechanical properties between EC8.0−24×7 and EC5.5−12 ×14 glass fiber bundles were also discussed. Project supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 19772058).  相似文献   
86.
中物院远红外自由电子激光实验研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
中国工程物理研究院基于射频直线加速器技术的远红外自由电子激光(FIR-FEL)实验取得阶段性进展,于2005年3月24晚8时30分首次出光, 并多次重复. 中心波长115μm, 谱宽1%.介绍了实验系统的主要组成部分和主要实验结果.  相似文献   
87.
合成了两种新型噻吩基卟啉-5,15-二(2-噻吩基)-2,8,12,18-四乙基-3,7,13,17-四甲基卟啉7a(45.1%)和5,15-二(2-联噻吩基)-2,8,12,18-四乙基-3,7,13,17-四甲基卟啉7b(61.2%),并研究了它们的光谱性质,其中荧光光谱的最大发射峰蜂都在631nm处,量子产率分别为4.1%(7a)和1.4%(7b)。  相似文献   
88.
Poly(3‐hydroxybutyrate) (PHB)/layered double hydroxides (LDHs) nanocomposites were prepared by mixing PHB and poly(ethylene glycol) phosphonates (PEOPAs)‐modified LDH (PMLDH) in chloroform solution. Both X‐ray diffraction data and TEM micrographs of PHB/PMLDH nanocomposites indicate that the PMLDHs are randomly dispersed and exfoliated into the PHB matrix. In this study, the effect of PMLDH on the isothermal crystallization behavior of PHB was investigated using a differential scanning calorimeter (DSC) and polarized optical microscopy. Isothermal crystallization results of PHB/PMLDH nanocomposites show that the addition of 2 wt % PMLDH into PHB induced more heterogeneous nucleation in the crystallization significantly increasing the crystallization rate and reducing their activation energy. By adding more PMLDH into the PHB probably causes more steric hindrance of the diffusion of PHB, reducing the transportation ability of polymer chains during crystallization, thus increasing the activation energy. The correlation among crystallization kinetics, melting behavior and crystalline structure of PHB/PMLDH nanocomposites can also be discussed. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part B: Polym Phys 44: 3337–3347, 2006  相似文献   
89.
THE EIGENVALUE PERTURBATION BOUND FOR ARBITRARY MATRICES   总被引:1,自引:0,他引:1  
In this paper we present some new absolute and relative perturbation bounds for theeigenvalue for arbitrary matrices, which improves some recent results. The eigenvalueinclusion region is also discussed.  相似文献   
90.
研制了一台五通道ROSS-FILTER-PIN软X射线能谱仪,能谱范围为0.28—1.56keV.它由5个连续能段组成,每个能段的起止边由罗斯滤片对(ROSS-FILTERS)的L或K吸收边确定.罗斯滤片对的厚度通过优化计算得到,为了使每个通道的灵敏区外响应(即所测能段外响应)与通道总响应之比最小,在滤片对的第二滤片上镀上了一定厚度的第一滤片材料;为了缩减滤片表面积以增强低能滤片的抗冲击能力及方便滤片加工,能谱仪采用了小探测面积的PIN探测器(1mm2).借助此能谱仪,测量得到了喷气式Z箍缩(Z-pinch)等离子体辐射软X射线能谱的分布,并研究了软X射线产额随箍缩状况的变化趋势. 关键词: Z箍缩等离子体 罗斯滤片 软X射线能谱  相似文献   
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